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孙振华

姓名: 孙振华

性别：男

研究方向：功能性光电晶体管

职称：副教授、副研究员

邮箱：szh@szu.edu.cn

座机：

个人简介

孙振华，男，博士，副教授，深圳市海外高层次C类人才, 2012年博士毕业于香港理工大学应用物理系，2013-2015年于法国国家科学院-ESPCI从事博士后研究，2015年入职太阳集团tcy8722。主要从事半导体光电子器件的研究工作。在国际顶尖期刊上发表多篇论文，论文总被引超过3000次，多篇文章为ESI高被引论文。

个人信息

研究领域：
1.	半导体器件；
2.	光电探测及成像
3.	光电信息传感与存储代表性项目：
1.	国家自然科学基金青年项目，61505108，基于氮化铝/石墨烯复合材料系统的高性能深紫外线探测器的研究，2016-1至2018-12，主持
2.	广东省普通高校特色创新项目，2021KTSCX101，基于窄带隙胶体量子点的非制冷红外光电探测器的研究，2021-01至2023-12, 主持
3.	广东省自然科学基金面上项目，2019A1515011367，基于低维材料垂直异质结的高性能光电探测器的研究，2019-10至2022-09，主持
4.	广东省自然科学基金博士启动项目，2016A030310055，表面等离子共振近场增强效应在基于石墨烯的二元混合物光电探测器中的应用，2016-06至2019-06，主持
5.	深圳市基础研究面上项目，20210314000126001，基于核壳型半导体量子点的超快速非易失性存储器研究， 2021-07至2024-06，主持代表性论文：
(1) Mengyu Zhang; Zhiguo Chi; Guoqing Wang; Zelong Fan; Honglei Wu; Ping Yang; Junbo Yang; Peiguang Yan; Zhenhua Sun ; An Irradiance‐Adaptable Near‐Infrared Vertical Heterojunction Phototransistor, Advanced Materials, 2022, 34(40): 2270278 
(2) Sun, Zhenhua; Li, Jinhua; Liu, Chenmin; Yang, Shihe; Yan, Feng ; Trap-Assisted Charge Storage in Titania Nanocrystals toward Optoelectronic Nonvolatile Memory, Nano Letters, 2021,21(1): 723-730 
(3) hu, Hao; Wen, Guohao; Wen, Jiamin; Huang, Long-Biao; Zhao, Meng; Wu, Honglei; Sun, Zhenhua ; Ambipolar Charge Storage in Type-I Core/Shell Semiconductor Quantum Dots toward Optoelectronic Transistor-Based Memories, Advanced Science, 2021, 8(16): 2100513-2100513 
(4) Sun, Zhenhua; Chang, Haixin ; Graphene and Graphene-like Two-Dimensional Materials in Photodetection: Mechanisms and Methodology, ACS Nano, 2014, 8(5): 4133-4156 (ESI高被引)
(5) Sun, Zhenhua; Liu, Zhike; Li, Jinhua; Tai, Guo-an; Lau, Shu-Ping; Yan, Feng ; Infrared
Photodetectors Based on CVD-Grown Graphene and PbS Quantum Dots with Ultrahigh Responsivity, Advanced Materials, 2012, 24(43): 5878-5883 (ESI高被引)
(6) Sun, Zhenhua; Li, Jinhua; Liu, Chenming; Yang, Shihe; Yan, Feng ; Enhancement of Hole Mobility of Poly(3-hexylthiophene) Induced by Titania Nanorods in Composite Films, Advanced Materials, 2011, 23(32): 0-3648专利：
孙振华; 温嘉敏; 闫成员 ; 非易失性存储器, 2020-2-3, 中国发明专利, 202010078655.6